以前から200W程度の半導体リニアを製作したいと考えていましたが、先般ヒートシンクを手に入れた事もあり、挑戦する事にしました。電源はAC100V整流したトランスレス・スタイル構造とし、更にスイッチング・デバイスを利用したりして低価格で製作できる事を目標に製作する事としました。ターゲットしてはサムウェイDXV-200L(1.8MHz-7MHz)を狙っています。ローバンド帯ではDXV-200Lなどに使われている低価格デバイスを利用するのがベストかと思います。
50MHzリニア用に購入した手持ち部品としてLDMOS：MRFE6VP61K25H(Freescale社製)がありますが、それを有効活するためには50MHz帯以上での利用と限定的になってきますが魅力的なデバイスでPDPテクノロジーを使ってスプリアス低減が望めるので期待しています。
先般、7MHzにてJA5AUL今城さんと交信の際にTL933（JRC製：SEPP Linear Amplifier)のバイアス調整についての話がありましたが、そもそもTL933のリニアがどんなものなのか？分からなかったのですが、JRC製のOEMされたもので、半導体MOS-FETを使いSEPP(Single Ended Push-Pull）回路構成で低ひずみ化したリニアらしい事を知りました。昔、JRCから発売のHFトランシーバー：JST-245同様なSEPPを使っていたことを思い出しました。Final-Deviceは2SK408×6個＋2SK409×6個を使っていて”低ひずみ”を図りにしていました。そこで、2sk4xxか？2sk2727等のファミリーのLow-cost版を探すことにしました。そこで、今更ではありますがSEPP回路を使ったリニア・アンプでの実験をしたいと思うようになりました。
JRCのリニア・アンプモジュール：JRL3000F同等品(SEPP)
